Більш досконалі та дешеві мемристори можуть з'явитися у результаті випадкового відкриття в Університетському коледжі Лондона (УКЛ).

Команда з УКЛ експериментувала з оксидом кремнію для виробництва LED і випадково відкрила таке компонування атомів кремнію, що створює менш резистивні ділянки всередині твердого оксиду кремнію. Переключення між рівнями опору відбувається набагато ефективніше, ніж раніше. Цей процес був опублікований у журналі Journal of Applied Physics.

Вивчаючи властивості створеного ними зразка LED, вони виявили, що поведінка їхнього пристрою нестабільна. Один із дослідників, Аднан Мехонік, взявся вивчити цей феномен і з'ясував, що оксид кремнію не був нестабільним, а цілком передбачувано перестрибував у різні провідні та непровідні стани.

Він сказав: "Моя робота показала, що цей матеріал може бути застосований для виготовлення мемристорів. Потенціал цього матеріалу просто величезний. На етапі підтвердження концепції, ми продемонстрували, що можемо програмувати чипи з використанням циклів від двох і більше станів провідності. Ми дуже раді, що наш пристрій може стати важливим кроком до створення нових кремнієвих чипів пам'яті".

У прес-релізі повідомляється: "Ці прилади можна створити таким чином, що вони зможуть змінювати опір залежно від того вольтажу, який був застосований останнім... Такі прилади відомі під назвою мемристори".

Доктор Тоні Кеньйон із департаменту Електроніки УКЛ говорить: "Наші чипи пам'яті ReRAM споживають усього тисячну долю від тої енергії, яку споживають стандартні чипи флеш-пам'яті і у 100 разів швидші за них. Той факт, що цей пристрій може функціонувати у реальних умовах навколишнього середовища і змінює свою опірність, відкриває широке коло практичних застосувань".

Доктор Кеньйон додав: "Ми також працюємо над створенням кварцового пристрою, для створення прозорої електроніки". Це дозволить надати тачскрінам та іншим екранам мобільних пристроїв функцію пам'яті.

Джерело: InfoNova.org.ua

За матеріалми: globalscience.ru