Новий напівпровідниковий матеріал - дисульфід молібдену (MoS₂) за словами швейцарських вчених, дозволить істотно знизити енергоспоживання транзисторів і використовувати більш тонкі норми техпроцесу. Про це свідчать дослідження, проведені в Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL).

На відміну від графену, також називаного в числі кандидатів на роль основи інтегральних мікросхем майбутнього, дисульфід молібдену має ширину забороненої зони, характерну для напівпровідників.

У природі дисульфід молібдену широко розповсюджений у вигляді мінералу молібденіту (те ж, що й молібденовий блиск або молібденовий колчедан). Він знаходить застосування у виробництві сталі та сплавів, у хімічній промисловості, а також як добавка у мастила. Про можливість його використання в напівпровідниковому виробництві заговорили вперше.

Важливим достоїнством дисульфіду молібдену в порівнянні із кремнієм є його двовимірна структура, тоді як кремній утворює об'ємні кристали. Вона дозволяє легко формувати тонкі плівки товщиною 6,5 Å (0,65 нм), рухливість електронів у яких відповідає рухливості електронів у шарі кремнію товщиною 2 нм.

На ілюстрації показаний польовий транзистор із наднизьким енергоспоживанням, у якому канал з дисульфіду молібдену сформований на підложці з оксиду кремнію та відділений від затвору шаром матеріалу з високою діелектричною проникністю (оксид гафнію).

За матеріалами: ixbt.com