Дослідники з Федеральної політехнічної школи Лозанни (Швейцарія) під керівництвом Андреса Кіса використали одно- і багатоатомні шари вуглецю (графен) та дисульфіду молібдену для об'єднання з традиційними електронними компонентами у прототипі пристрою флеш-пам'яті.

У графені електрони пересуваються так, ніби є безмасовими частинками. В принципі це дозволяє створювати компактні пристрої з дуже високими характеристиками, проте до недавнього часу всі переваги графену були лише на папері.

У створеному швейцарцями прототипі два мікролиста графену були з'єднані мостом, а зверху накриті листами дисульфіду молібдену (напівпровідника за своїми властивостями), поверхня яких мала шар ізолятора. Контроль над роботою пристрою був доручений зовнішньому електроду.

Схема нового елемента пам'яті (тут і нижче ілюстрації Andras Kis et al.).

При прикладанні напруги на контрольний електрод заряд акумулювався на шарах графену і міг бути прочитаний у подальшому. Втрата заряду пристроєм виявилася надзвичайно повільною, не більше 70% за десять років за результатами моделювання.

Що важливо: різниця станів по заряду між порожнім і записаним елементами пам'яті становила 104 рази; це дозволяє зберігати в одному елементі такої пам'яті не один біт інформації, а багато.

Як стверджують розробники, пристрій на такій елементній базі вже при сьогоднішніх технологіях може бути запущений у масове виробництво; при цьому його потенційна ємність буде значно вищою, ніж у найбільш «об'ємних» зразків флеш-пам'яті - при, зрозуміло, незрівнянно менших габаритах.

Звіт про дослідження опублікований у журналі ACS Nano.

Джерело: InfoNova.org.ua

За матеріалами: compulenta.ru