Вчені з Університету Каліфорнії, Берклі (University of California, Berkeley), та Університету Масачусетсу (UMass Amherst) розробили інноваційну технологію виробництва полімеру, що складається із чітко впорядкованих наноструктур.

Якщо такий матеріал використовувати як носій для зберігання інформації, то буде досягнута рекордна в нинішній час щільність запису інформації, близько 1.7 терабіта на квадратний сантиметр.

«Щільність зберігання інформації, отримана за допомогою нашої технології, дозволить записати на один диск, розміром з одну монету, вміст біля 250-ти стандартних DVD дисків», — заявив Ксу (Xu), учасник команди дослідників з боку Національної Лабораторії Лоуренса, Берклі.

«Ми очікуємо, що ця нова технологія, яку ми розробили, перетворить деякі галузі мікроелектронної промисловості та галузі запам'ятовувальних пристроїв і відкриє перспективи для створення зовсім нового класу пристроїв», — розповів один із дослідників, Томас Расел (Thomas Russell). «Результати нашої роботи можуть бути використані при виготовленні фотогальванічних елементів з високою роздільною здатністю і низьким рівнем енергоспоживання».

Основою цього нового матеріалу PS-b-PEO є, так званий, блок-гетерополімерів – з'єднання двох або трьох зовсім несхожих по властивостях полімерних матеріалів, полістиролу та поліетиленоксиду. Ці матеріали, піддані деякому зовнішньому впливу, формують надзвичайно тонкий і рівномірний малюнок на поверхні матеріалу. Ця технологія, вже практично протягом десятиліття, безуспішно намагалася бути використана при виробництві звичайних напівпровідникових матеріалів, але до теперішнього часу не вдалося домогтися яких-небудь значних успіхів у цій області.

Розроблена технологія одержання впорядкованого гетерополімерного матеріалу досить проста. На поверхню кристалу одного з доступних матеріалів, сапфіру, наноситься тонка плівка блок-гетерополімерів. Поверхня кристалу сапфіру звичайним технологічним методом була піддана механічній обробці, завдяки чому на поверхні кристала були сформовані поверхні, розташовані під кутом одна до одної. Далі, цей кристал з нанесеною плівкою блок-гетерополімерів піддають витримці протягом 24 годин при температурах від 1200 до 1500 градусів Цельсія. Протягом цієї витримки матеріал блок-гетерополімерів самореорганізується й утворює чітку та впорядковану просторову структуру з розмірами одної комірки рівними близько 3 нанометрів.

На даний момент вчені займаються вдосконаленням цієї технології, підбираючи температурні режими для одержння різної глибини й розмірів отримуваної структури матеріалу, що дозволить використання нової технології у багатьох галузях промисловості та електроніки.

За матеріалами: techfuture.ru