Дослідники з тайванської компанії Macronix запропонували інноваційний спосіб багатократного збільшення довговічності флеш-пам'яті.

Принцип роботи флеш-пам'яті заснований на зміні та реєстрації електричного заряду в ізольованій області («кишені») напівпровідникової структури. Однак цей процес пов'язаний із накопиченням незворотних змін у структурі, а тому кількість записів для комірки флеш-пам'яті обмежена (зазвичай близько 10 тис. разів для MLC-пристроїв).

Одна з причин деградації - неможливість індивідуально контролювати заряд плаваючого затвора у кожній комірці. Інша причина - взаємна дифузія атомів ізолюючих і провідних областей напівпровідникової структури, прискорена градієнтом електричного поля в області «кишені» і періодичними електричними пробоями ізолятора при записі та стиранні. Це призводить до розмивання меж і погіршення якості ізолятора.

Структура флеш-пам'яті Macronix.

Macronix пропонує збільшити термін служби флеш-пам'яті за рахунок застосування технології термічного відпалу (Thermal Annealing). Спеціальний нагрівальний елемент на нетривалий час (мілісекунди) підвищує температуру комірок до більш ніж 800 ˚C. Це призводить до самовідновлення структури пам'яті і збільшення терміну її експлуатації.

За заявами Macronix, технологія дозволяє довести кількість циклів перезапису флеш-чипів до 100 мільйонів і більше, що у тисячі разів більше, ніж у стандартних виробів.

Про результати роботи Macronix розповість 11 грудня на конференції IEDM 2012 у Сан-Франциско (Каліфорнія, США).

Джерело: InfoNova.org.ua

За матеріалами: science.compulenta.ru