Накопичувачі на основі мемристорів замінять флеш-пам'ять та DRAM |
Monday, 16 May 2011 |
Мемристори вважаються четвертим пасивним елементом мікросхем після резистора, конденсатора та котушки індуктивності. Можливість існування мемристора була передвіщена в 1971 році професором Каліфорнійського університету в Берклі (США) Леоном Чуа (Leon Chua),однак на практиці створити прототип мемристора довгий час не вдавався. В 2008 році вчені HP змогли отримати дослідний зразок. Ключовою особливістю елемента цього типу є гістерезис, коли реакція на вплив залежить від сил, що діяли раніше, тобто стан системи визначається її власною історією. Струм, що проходить крізь мемристор, приводить до зміни його атомної структури, в результаті чого опір елемента змінюється в тисячу і більше разів. Завдяки цьому елемент можна використовувати як комірку пам'яті. Як тепер повідомляється, фахівці НР, використовуючи рентгенівське випромінювання, змогли встановити, які процеси відбуваються в структурі мемристорів у момент проходження крізь них електричного струму. Крім того, інженери розробили дослідний зразок енергонезалежної пам'яті на основі мемристорів, що забезпечує щільність зберігання даних в 12 Гб/см2. Очікується, що комерційні пристрої на основі мемристорів можуть з'явитися в середині 2013 року. Така пам'ять розглядається як потенційна заміна флеш-пам'яті та пам'яті DRAM. Більш докладно про результати дослідження НР розповідається в журналі Nanotechnology.
За матеріалами: compulenta.ru Наступні новини у розділі:
Попередні новини у розділі:
|