Нова робота вчених із Тайваню та Каліфорнійського університету у Берклі, описана у журналі Applied Physics Letters, продемонструвала, що пам'ять на основі наноточок здатна записувати та стирати інформацію у 10-100 разів швидше сучасних зарядових запам'ятовувальних пристроїв (таких, які використовують електричний заряд для збереження інформції, наприклад флеш-пам'ять NAND).

В експериментах використовувався шар діелектричного матеріалу, що містив дискретні (такі, що не перекриваються) кремнієві наноточки, кожна діаметром приблизно 3 нм. Окремі наноточки діяли як біти пам'яті. Для керування їхнім функціонуванням на непровідний матеріал був нанесений тонкий металевий шар — «металевий затвор», що переводив транзистор у стани «увімкнуто» і «вимкнуто».

За словами авторів роботи, структура металевого затвору, матеріали і процеси, що використовувались, є сумісними із сучасною масовою CMOS-технологією виробництва інтегральних мікросхем.

Використавши надкороткі імпульси випромінювання зеленого лазеру для вибіркового відпалу (активації) окремих областей металевого шару вчені встановили новий рекорд швидкодії зарядової пам'яті. Точність і короткотривалість впливу лазером дозволяла створювати затвор над кожною окремою наноточкою.

Такий метод є стійким до помилок, оскільки, якщо одна наноточка не спрацює це ніяк не вплине на інші. Такі характеристики пам'яті на кремнієвих наноточках дозволяють створювати на її основі нові надійні та високошвидкісні пристрої довготривалого зберігання даних.

Джерело: InfoNova.org.ua

За матеріалами: ko.com.ua