Компанія Rheinmetall Defence випробувала нову 50-кіловатну лазерну установку HEL (high-energy laser) на полігоні у Швейцарії. Як повідомляється у прес-релізі Rheinmetall, на випробуваннях лазерну гармату інтегрували з зенітно-артилерійським комплексом Oerlikon.

В Університеті Північної Кароліни (США) розроблено електричні проводи, які можна розтягнути, збільшивши їх довжину у вісім разів (!) при повному збереженні функціональності. Незвичайні вироби можна використовувати скрізь, де застосовуються їх більш традиційні (але не високовольтні) мідні чи алюмінієві аналоги, від навушників до телефонних зарядних пристроїв. Крім того, «дроти, що тягнуться» можуть стати основою «електронного текстилю», про який мріють не лише письменники-фантасти.

Дослідники зі школи інженерних і прикладних наук при Каліфорнійському університеті внесли значні поліпшення, істотно покращивши ультра-швидкий клас комп'ютерної пам'яті з високою пропускною здатністю. Цей тип називається магніторезистивною пам'яттю з довільним доступом або MRAM.

Максимальна тривалість життя, яка була зареєстрована у людини, склала 122 роки. До того часу зберегти прекрасну фізичну форму - неможливо. Але німецькі вчені змогли довести зворотне, відкривши ген молодості. Ген FoxO був виявлений у гідри. Саме цей ген дає пояснення людському довголіттю, крім того, він зданий підтримувати імунну систему, що у свою чергу сприяє кращому самопочуттю у похилому віці.

Фізики з університету Рочестера запропонували схему створення радара, сигнал якого неможливо непомітно перехопити та підробити.

Співробітники проекту «Кассіні» помітили мініатюрну позаземну подобу річки Ніл - річкову долину на Титані, супутнику Сатурна, яка простягнулася більш ніж на 400 км від «витоків» до великого моря.

Японська Асоціація по створенню енергоефективної електроніки (LEAP) давно поставила собі за мету замінити флеш-пам'ять NAND, що використовується при створенні новомодних SSD-запам'ятовуючих пристроїв, на енергонезалежну пам'ять на основі фазового переходу PRAM. Необхідність заміни NAND пов'язана у першу чергу з проблемою занадто швидкого зношування цього типу пам'яті (NAND-комірка деградує кожного разу, коли на неї подається напруга).