Вчені з Кембриджського університету розробили мікрочип абсолютно нового типу, який дозволяє інформації ефективно переміщатися у трьох вимірах. Такі мікрочипи у майбутньому можуть стати основою нових високопродуктивних мікропроцесорів і мікросхем пам'яті великого об'єму, дані всередині яких передаються у будь-якому напрямку, проходячи крізь кілька шарів чипа.

Абсолютно новий тип транзистора, структура якого заснована на використанні графену, дозволяє електронам переміщатися одночасно двома способами, проходячи крізь потенційний бар'єр і "перестрибуючи" через нього за рахунок ефекту тунелювання. Така подвійна природа нового транзистора дозволяє йому працювати на дуже високих тактових частотах, роблячи його найбільш високопродуктивним графеновим транзистором серед усіх подібних транзисторів, створених коли-небудь людьми.

Експериментальна структура нового германієвого транзистора, виготовленого з поширених напівпровідникових матеріалів, може стати тим, що дозволить у декілька разів збільшити продуктивність мікропроцесорів обчислювальної техніки.

Комп'ютери нового типу за потужностю перевищать класичні і зможуть змагатися з квантовими. Вони засновані на бозонах і схожі з квантовими комп'ютерами, відмінними від традиційних кількома важливими властивостями. У звичайних комп'ютерах дані представлені як нулі і одиниці, що виражаються у ввімкненому та вимкненому стані транзистора. Квантові комп'ютери використовують квантові біти, або кубіти, які можуть знаходитись також у суперпозиції ввімкненого та вимкненого станів. Ця особливість робить квантові комп'ютери здатними до паралельних обчислень на фізичному рівні, завдяки чому вони можуть вирішувати конкретні завдання значно швидше. У теорії квантовий комп'ютер із 300 кубітами може одночасно здійснювати більше обчислень, ніж є атомів у Всесвіті.

Дослідники з Інституту Фердинанда Брауна (Ferdinand Braun Institut, FBH) у Берліні і дослідного інституту Innovations for High Performance Microelectronics (IHP) у Франкфурті зуміли об'єднати дві технології виготовлення різних видів напівпровідників на одному кристалі чипа. Комбінація кремнієвих напівпровідникових елементів і елементів з фосфіду індію дозволяє забезпечити роботу логічних мікросхем, у тому числі і мікропроцесорів, на терагерцових тактових частотах. При цьому, для виробництва таких кристалів чипів не потрібна корінна перебудова існуючих технологічних виробництв.

Дослідники зі школи інженерних і прикладних наук при Каліфорнійському університеті внесли значні поліпшення, істотно покращивши ультра-швидкий клас комп'ютерної пам'яті з високою пропускною здатністю. Цей тип називається магніторезистивною пам'яттю з довільним доступом або MRAM.

Японська Асоціація по створенню енергоефективної електроніки (LEAP) давно поставила собі за мету замінити флеш-пам'ять NAND, що використовується при створенні новомодних SSD-запам'ятовуючих пристроїв, на енергонезалежну пам'ять на основі фазового переходу PRAM. Необхідність заміни NAND пов'язана у першу чергу з проблемою занадто швидкого зношування цього типу пам'яті (NAND-комірка деградує кожного разу, коли на неї подається напруга).