Фахівцями IBM створена графенова інтегральна схема |
Monday, 13 June 2011 |
Основою пристрою стала пластина карбіду кремнію, на якій шляхом термодесорбції (видалення при нагріванні) кремнію були вирощені шари графену. Потім автори сформували транзистор методом електронно-променевої літографії, видаливши непотрібний графен за допомогою кисневої плазми. Розміщені поруч індуктивності були виконані з алюмінію мікрометрової товщини. Схема виконує функції звичайного змішувача частот, що комбінує два поступаючі на вхід сигнали, частоти яких рівні f1 і f2. Опір каналу транзистора модулюється обома сигналами, і вихідний «змішаний» сигнал (струм стоку) містить частоти f1 + f2 і f1 - f2. На практиці f1 не надто сильно відрізняється від f2, а експериментаторів цікавить тільки один компонент вихідного сигналу - f1 - f2. Дослідний зразок стабільно працював на частотах до 10 Ггц. «Це далеко не межа, - говорить один із учасників дослідження Кіт Дженкінс (Keith Jenkins). - Схема може функціонувати набагато швидше». Сумніватися в цьому не доводиться, оскільки 300-гігагерцеві графенові транзистори були сконструйовані ще торік. У дослідах нова схема також продемонструвала відмінну термостабільність, практично не змінивши своїх характеристик при збільшенні температури з 300 до 400 К (з 27 до 127оC). За словами Дженкінса, у цей час його група експериментує з новими матеріалами контактів у розробленій схемі та оптимізує методику її виготовлення, а також проектує більш складний графеновий пристрій. Збільшені зображення транзистора та індуктивності (ілюстрація з журналу Science). Повна версія звіту опублікована в журналі Science.
За матеріалами: compulenta.ru Наступні новини у розділі:
Попередні новини у розділі:
|